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HPD封装逆变砖产品性能参数

HPD封装逆变砖产品性能参数

产品详情

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逆变砖模块关键性能参数
逆变砖型号GTM400100GTM800150GTM800180GTM800240GTM800320
电压平台     400V     800V800V(400-900V)
器件类型Si IGBTSi IGBTSi IGBTSiC MOSSiC MOS
器件规格750V/800A1200V/450A1200V/600A1200V/700A1200V/750A
额定输出电流280Arms170Arms230Arms300Arms400Arms
峰值输出电流560Arms300Arms450Arms550Arms630Arms


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